| 型号：IRFU5505 | 类别：FET - 单 | 制造商：International Rectifier |
| 封装：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB | 描述：MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK |
| 系列 | HEXFET® |
| 制造商 | International Rectifier |
| FET型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 18A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 110 毫欧 @ 9.6A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 32nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 650pF @ 25V |
| 功率_最大 | 57W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
| 深圳市力索微电子有限公司 | 钟彩香0755-83587431 |
| 深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
| 深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
| 深圳市金亿泰电子有限公司 | 郑086-755-83252273 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市众诚发电子有限公司 | 张0755-83231869 |
| 深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
| 深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
| 深圳市深科创科技有限公司 | 吴先生/吴小姐/李小姐0755-83247290 |
IRFU5505相关型号
- FDS6630A
FET - 单
Fairchild Semiconductor
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
- IPW50R299CP
FET - 单
Infineon Technologies
TO-247-3
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
- H48-6C-150-150-0.5-2A
热 - 垫，片
t-Global Technology
H48-6C SHEET 150X150X0.5MM W/ADH
- IRFU4105ZPBF
FET - 单
International Rectifier
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
- ISC1812ES120K
固定式
Vishay Dale
1812（4532 公制）
INDUCTOR WW 12UH 10% 1812
- GTS447N301HR
拨动开关
CW Industries
径向
SW TOGGLE SPST-NO 16A 250V
- IRFU420
FET - 单
Vishay Siliconix
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
- FDS6670A
FET - 单
Fairchild Semiconductor
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- H48-6C-320-320-1.0-1A
热 - 垫，片
t-Global Technology
H48-6C SHEET 320X320X1MM W/ADH
- IPW60R125CP
FET - 单
Infineon Technologies
TO-247-3
MOSFET N-CH 650V 25A TO-247
- IRFU420PBF
FET - 单
Vishay Siliconix
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
- ISC1812ES151K
固定式
Vishay Dale
1812（4532 公制）
INDUCTOR WW 150UH 10% 1812
- GJM0335C1E4R6BB01D
陶瓷
Murata Electronics North America
0201（0603 公制）
CAP CER 4.6PF 25V NP0 0201
- IRFU430APBF
FET - 单
Vishay Siliconix
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK
- FDS6675
FET - 单
Fairchild Semiconductor
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- H48-6C-640-320-1.0-0
热 - 垫，片
t-Global Technology
H48-6C SHEET 640X320X1MM
- IPW60R190C6
FET - 单
Infineon Technologies
TO-247-3
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
- IRFU5305PBF
FET - 单
International Rectifier
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
- GJM0335C1E4R8BB01D
陶瓷
Murata Electronics North America
0201（0603 公制）
CAP CER 4.8PF 25V NP0 0201
- ISC1812ES181J
固定式
Vishay Dale
1812（4532 公制）
INDUCTOR WW 180UH 5% 1812
- FDS6675BZ
FET - 单
Fairchild Optoelectronics Group
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- IPW65R110CFD
FET - 单
Infineon Technologies
TO-247-3
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
- H48-6C-640-320-2.0-1A
热 - 垫，片
t-Global Technology
H48-6C SHEET 640X320X2MM W/ADH
- IRFU6215
FET - 单
International Rectifier
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
- ISC1812ES1R2J
固定式
Vishay Dale
1812（4532 公制）
INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1812
- GJM0335C1E5R0CB01D
陶瓷
Murata Electronics North America
0201（0603 公制）
CAP CER 5PF 25V NP0 0201
- H48-6G-100-100-2.0-0
热 - 垫，片
t-Global Technology
H48-6 SHEET 100X100X2MM
- IPW65R190C6
FET - 单
Infineon Technologies
TO-247-3
MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247
- IRFU9120
FET - 单
Vishay Siliconix
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
- FDS6676AS
FET - 单
Fairchild Semiconductor
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
- GJM0335C1E5R1CB01D
陶瓷
Murata Electronics North America
0201（0603 公制）
CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201
- ISC1812ES1R8K
固定式
Vishay Dale
1812（4532 公制）
INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812
- IRFU9120NPBF
FET - 单
International Rectifier
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
- H48-6G-100-100-3.0-0
热 - 垫，片
t-Global Technology
H48-6 SHEET 100X100X3MM
- IPW65R190E6
FET - 单
Infineon Technologies
TO-247-3
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
- IRFU9310PBF
FET - 单
Vishay Siliconix
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
- FDS6680AS
FET - 单
Fairchild Semiconductor
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
- ISC1812ES331K
固定式
Vishay Dale
1812（4532 公制）
INDUCTOR WW 330UH 10% 1812
- GJM0335C1E5R2CB01D
陶瓷
Murata Electronics North America
0201（0603 公制）
CAP CER 5.2PF 25V NP0 0201
- IRFW630BTM_FP001
FET - 单
Fairchild Semiconductor
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
